【财新网】美国《芯片法案》补贴先进存储芯片。当地时间8月5日,美国商务部宣布,和韩国存储芯片企业SK海力士签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),根据《芯片和科学法案》(CHIPS and Science Act)提供4.5亿美元的补贴,以在美国建立一个高带宽内存(HBM)先进封装制造和研发(R&D)设施。
除了拟议的4.5亿美元的直接补贴外,美国商务部还计划向SK海力士提供高达5亿美元的拟议贷款。SK海力士还计划申请美国财政部的投资税收抵免,预计最高可达合格资本支出的25%。
【财新网】美国《芯片法案》补贴先进存储芯片。当地时间8月5日,美国商务部宣布,和韩国存储芯片企业SK海力士签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),根据《芯片和科学法案》(CHIPS and Science Act)提供4.5亿美元的补贴,以在美国建立一个高带宽内存(HBM)先进封装制造和研发(R&D)设施。
除了拟议的4.5亿美元的直接补贴外,美国商务部还计划向SK海力士提供高达5亿美元的拟议贷款。SK海力士还计划申请美国财政部的投资税收抵免,预计最高可达合格资本支出的25%。
责任编辑:覃敏 | 版面编辑:刘春辉
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